校準裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110274807.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112881962A | 公開(公告)日 | 2021-06-01 |
| 申請公布號 | CN112881962A | 申請公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號 | G01R35/00 | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 吳瑞仁;砂永登志男;陳卓凡 | 申請(專利權(quán))人 | 北京時代全芯存儲技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐金國 |
| 地址 | 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路601號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本案揭露一種校準裝置,是用以校準記憶體。校準裝置包含輸入端、第一上拉電路及第一比較器。輸入端用以耦接外部電阻。第一上拉電路耦接于輸入端,并用以接收電源供應(yīng)電壓。第一上拉電路包含多個第一上拉單元,這些第一上拉單元彼此并聯(lián)。第一比較器耦接于輸入端。第一比較器用以接收相應(yīng)于電源供應(yīng)電壓的比例電壓,并輸出第一控制信號至該些第一上拉單元,使得該些第一上拉單元中每一者的電阻值相等于外部電阻的電阻值。本案實施例提供一種校準裝置,通過校準裝置對記憶體進行校準,以使記憶體與外部裝置阻抗匹配,借以改善記憶體輸出的高頻信號產(chǎn)生反射的狀況。 |





