提高半導體型碳納米管發(fā)光效率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710099289.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101308889B 公開（公告）日 2010-08-18
申請公布號 CN101308889B 申請公布日 2010-08-18
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 譚平恒;張俊;李桂榮 申請（專利權）人 北京中科雁棲投資有限公司
代理機構 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 湯保平
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種提高半導體型碳納米管發(fā)光效率的方法，其特征在于，該方法包括：制備含有不同帶隙半導體型碳納米管的碳納米管束；把碳納米管束準備成發(fā)光器件，選擇能量與碳納米管束中的寬帶隙半導體型碳納米管的帶隙相接近或相等的激發(fā)光去激發(fā)碳納米管束來提高碳納米管束中窄帶隙半導體型碳納米管的光致發(fā)光效率；或者把碳納米管束準備成發(fā)光器件，在碳納米管束兩端施加偏壓，來提高碳納米管束中窄帶隙半導體型碳納米管的電熒光發(fā)光效率。