提高半導(dǎo)體型碳納米管發(fā)光效率的方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200710099289.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN101308889A | 公開(公告)日 | 2008-11-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN101308889A | 申請(qǐng)公布日 | 2008-11-19 |
| 分類號(hào) | H01L33/00(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 譚平恒;張俊;李桂榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京中科雁棲投資有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 湯保平 |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明一種提高半導(dǎo)體型碳納米管發(fā)光效率的方法,其特征在于,該方法包括:制備含有不同帶隙半導(dǎo)體型碳納米管的碳納米管束;把碳納米管束準(zhǔn)備成發(fā)光器件,選擇能量與碳納米管束中的寬帶隙半導(dǎo)體型碳納米管的帶隙相接近或相等的激發(fā)光去激發(fā)碳納米管束來提高碳納米管束中窄帶隙半導(dǎo)體型碳納米管的光致發(fā)光效率;或者把碳納米管束準(zhǔn)備成發(fā)光器件,在碳納米管束兩端施加偏壓,來提高碳納米管束中窄帶隙半導(dǎo)體型碳納米管的電熒光發(fā)光效率。 |





