采用多層氮化鋁基板的LED封裝結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201520263359.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN204577460U | 公開(公告)日 | 2015-08-19 |
| 申請公布號 | CN204577460U | 申請公布日 | 2015-08-19 |
| 分類號 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳小寧 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市洋光光電科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳眾鼎專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 朱業(yè)剛;譚果林 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道新木社區(qū)新木大道6號A棟1樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開一種采用多層氮化鋁基板的LED封裝結(jié)構(gòu),包括:多層氮化鋁基板、LED芯片、金線、混有熒光粉的封裝膠及光學(xué)透鏡,多層氮化鋁基板包括:氮化鋁層、絕緣層及電路層,氮化鋁層上設(shè)有固焊部,LED芯片固定于固焊部中,金線用于將LED芯片與電路層電性連接,混有熒光粉的封裝膠填充于固焊部中,光學(xué)透鏡設(shè)于混有熒光粉的封裝膠上。本實用新型采用多層氮化鋁基板,可提高對LED芯片發(fā)亮?xí)r產(chǎn)生的熱量的傳導(dǎo),滿足大功率LED的散熱要求,提高燈珠整體的發(fā)光效率和使用壽命;氮化鋁材料熱膨脹系數(shù)與LED芯片的熱膨脹系數(shù)接近,減小了LED芯片與基板之間產(chǎn)生的應(yīng)力,提高了大功率LED的可靠性。 |





