一種具有復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)的MOCVD設(shè)備用基座盤及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011431664.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112680720A 公開（公告）日 2021-04-20
申請公布號 CN112680720A 申請公布日 2021-04-20
分類號 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 汪洋;余盛杰;劉佳寶;柴攀;萬強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 湖南德智新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙朕揚(yáng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉向丹
地址 412000湖南省株洲市天元區(qū)中國動力谷自主創(chuàng)新園（研發(fā)中心C棟2樓202號）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有復(fù)合涂層結(jié)構(gòu)的MOCVD設(shè)備用基座盤及其制備方法，其包括基體和基體表面的復(fù)合涂層，所述復(fù)合涂層由內(nèi)到外依次包括C?SiC共沉積層、SiC涂層、SiC?TaC共沉積梯度層和TaC涂層，所述C?SiC共沉積層由SiC和熱解C組成，所述SiC?TaC共沉積梯度層從內(nèi)到外TaC含量從0到100％呈梯度變化分布。C?SiC共沉積層、純SiC涂層和SiC?TaC共沉積梯度層能夠有效緩解TaC涂層熱膨脹系數(shù)大而造成涂層中內(nèi)應(yīng)力大的影響，可有效避免TaC涂層在使用過程中出現(xiàn)開裂脫落等問題，延長了使用壽命。??