一種用于氫化物氣相外延生長氮化鎵的蒸發(fā)器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011466005.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112626620A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112626620A 申請公布日 2021-04-09
分類號 C30B29/40;C30B25/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 余盛杰;汪洋;潘影;劉佳寶;柴攀;萬強 申請（專利權(quán)）人 湖南德智新材料有限公司
代理機構(gòu) 長沙朕揚知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 周孝湖
地址 412000 湖南省株洲市天元區(qū)中國動力谷自主創(chuàng)新園（研發(fā)中心C棟2樓202號）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于氫化物氣相外延生長氮化鎵的蒸發(fā)器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅過渡層，硅過渡層的外表面包覆有TaC涂層，TaC涂層由靠近硅過渡層的一側(cè)至遠離硅過渡層的一側(cè)孔隙率逐漸增大。該用于氫化物氣相外延生長氮化鎵的蒸發(fā)器鎵源的揮發(fā)效率高、蒸發(fā)器石墨基材不易受高溫腐蝕性氣氛侵蝕、使用壽命更長。