樣品生長裝置、樣品生長方法及分子束外延系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111053039.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113502535B 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113502535B 申請公布日 2021-12-10
分類號 C30B25/12;C30B25/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊鋼;薛聰;王庶民;董建榮 申請（專利權）人 埃特曼（蘇州）半導體技術有限公司
代理機構 南京利豐知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路388號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種樣品生長裝置、樣品生長方法及分子束外延系統(tǒng)。所述樣品生長裝置包括真空腔室以及位于真空腔室內的旋轉部分和傾斜調節(jié)部分，旋轉部分包括旋轉臺、旋轉機構和承載于旋轉機構上的基片，旋轉機構設置于旋轉臺上且驅動基片繞旋轉臺周向公轉；傾斜調節(jié)部分包括傾斜調節(jié)機構及與傾斜調節(jié)機構相連的分子束源爐，傾斜調節(jié)機構在基片公轉的過程中調整分子束源爐的傾斜角度，使分子束源爐入射的分子束全覆蓋住不同公轉位置處的基片。本發(fā)明的結構簡單緊湊，成本較低，且裝卸方便，定位精度高，生產多片樣品可通過單個分子束源爐調整角度，進行噴射位置的改變，很好地保證噴射的均勻性。