一種適用復(fù)雜和易損結(jié)構(gòu)的二氧化錫薄膜的空心陰極離子鍍方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110524231.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113265624A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113265624A 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) C23C14/32（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 項(xiàng)天星;劉勝康;彭勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中山艾尚智同信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中山市粵捷信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張謙
地址 528437廣東省中山市火炬開(kāi)發(fā)區(qū)祥興路6號(hào)數(shù)貿(mào)大廈北冀1層102卡
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種適用復(fù)雜和易損結(jié)構(gòu)的二氧化錫薄膜的空心陰極離子鍍方法，該方法以固體二氧化錫顆粒作為原料，利用等離子體發(fā)生器發(fā)出的氬氣流經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)打二氧化錫顆粒表面，使其升華并沉積到基底上。本發(fā)明方案無(wú)需任何溶劑或者摻雜材料，就可以在硅片或玻璃襯底沉積平整致密、透光優(yōu)異的二氧化錫薄膜，在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)的平均透過(guò)率接近90%。本方法制備工藝簡(jiǎn)單、時(shí)間短，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積規(guī)?；苽?，在光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域都有良好的應(yīng)用前景。