壓力傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110433740.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102515090A 公開（公告）日 2012-06-27
申請公布號 CN102515090A 申請公布日 2012-06-27
分類號 B81C1/00(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 毛劍宏;唐德明 申請（專利權）人 麗水玨意芯誠電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種壓力傳感器及其形成方法，形成壓力傳感器的方法包括：提供半導體基底，在半導體基底內具有控制電路和互連結構，在半導體基底上形成有底部電極，互連結構將底部電極和控制電路電連接；形成犧牲層，覆蓋底部電極；形成頂部電極，覆蓋犧牲層的頂面、側面以及部分半導體基底，頂部電極具有第一開口，第一開口暴露出犧牲層；通過第一開口去除犧牲層，在頂部電極和底部電極之間形成空腔；形成介質層，覆蓋半導體基底和頂部電極，介質層具有呈環(huán)狀的第二開口，第二開口隔離出與底部電極相對的部分頂部電極，該隔離出的部分頂部電極作為壓力傳感區(qū)。本技術方案形成壓力傳感器的方法與CMOS工藝兼容，形成方法簡單。