一種電阻式方形碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111282333.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114016135A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114016135A 申請(qǐng)公布日 2022-02-08
分類(lèi)號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市晨晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱永林
地址 150000黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)智谷二街3043號(hào)哈爾濱松北（深圳龍崗）科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園12棟1-5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅生長(zhǎng)工藝，具體涉及一種電阻式方形碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝。該生長(zhǎng)工藝主要包括：機(jī)械泵抽真空階段、機(jī)械泵與分子泵抽高真空階段、初加熱階段、引晶階段、生長(zhǎng)階段、降溫階段。其特征在于：首先通過(guò)機(jī)械泵對(duì)單晶爐腔體抽低真空，啟動(dòng)分子泵，二者結(jié)合抽至單晶爐高真空，進(jìn)入初步加熱階段，向爐內(nèi)充入一定流量的氮?dú)饧皻鍤?，并使?fàn)t內(nèi)溫度壓力控制在合理范圍，溫度恒定指定時(shí)間，再次加大爐內(nèi)壓力值，使?fàn)t內(nèi)溫度快速升高，同時(shí)設(shè)定坩堝勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，此時(shí)原料升華至籽晶表面進(jìn)行引晶；引晶結(jié)束碳化硅晶體進(jìn)入生長(zhǎng)階段，調(diào)節(jié)主加熱器及副加熱器，使?fàn)t內(nèi)形成合理溫梯，為晶體生長(zhǎng)提供原動(dòng)力，長(zhǎng)晶至一定厚度進(jìn)入降溫階段，調(diào)節(jié)爐內(nèi)溫度以一定的速度緩慢降至室溫，最終取出碳化硅晶體。該生長(zhǎng)工藝的設(shè)計(jì)，可有效降低方形碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中內(nèi)部缺陷產(chǎn)生的幾率。