一種改善反應(yīng)室內(nèi)氣體流場(chǎng)的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122349007.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216074091U 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN216074091U 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳潤(rùn)明
地址 150000黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)智谷二街3043號(hào)哈爾濱松北（深圳龍崗）科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園12棟1-5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種改善反應(yīng)室內(nèi)氣體流場(chǎng)的裝置，屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括坩堝體、石墨上蓋和籽晶托，坩堝體頂部安裝有石墨上蓋，坩堝體和石墨上蓋之間設(shè)置有籽晶托，籽晶托底部安裝有籽晶，還包括氣流導(dǎo)向裝置，坩堝體內(nèi)中部安裝有氣流導(dǎo)向裝置，氣流導(dǎo)向裝置將坩堝體分為反應(yīng)室和原料室上下兩部分，原料室內(nèi)部填充有原料，氣流導(dǎo)向裝置頂部加工有引流口，引流口處于籽晶正下方。本實(shí)用新型研發(fā)目的是為了解決現(xiàn)有晶體生長(zhǎng)往往是原料直接氣化進(jìn)入坩堝腔，而缺乏對(duì)氣流有效控制的問題，本實(shí)用新型有利于保持組分恒定均勻，減少氣體夾雜的顆粒物雜質(zhì)，提高單晶質(zhì)量，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)巧妙、拆裝方便、組裝牢固，適于推廣使用。