一種PVT法碳化硅晶體生長中附加碳源的粉料的添加方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110666260.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113403681B 公開（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113403681B 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 150000黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)智谷二街3043號(hào)哈爾濱松北（深圳龍崗）科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園12棟1-5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種PVT法碳化硅晶體生長中附加碳源的粉料的添加方法，它屬于PVT法碳化硅晶體生長技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題為通過改變粉料的添加方法來優(yōu)化晶體生長。本發(fā)明第一粉料為純碳化硅粉料、第二粉料為混合均勻的添加10?30wt％活性碳粉的碳化硅粉料、第三粉料為混合均勻的添加1?30wt％活性碳粉的碳化硅粉料，首先向坩堝底部加入一定質(zhì)量的第一粉料，然后在坩堝中心插入第二粉料添加區(qū)相同體積、無上下底的圓筒，向圓筒中加入第二粉料，向圓筒和坩堝的縫隙中加入剩余的第一粉料，之后小心取出圓筒，再加入第三粉料，完成PVT法碳化硅晶體生長中附加碳源的粉料的添加。本發(fā)明能夠提高生長出晶體的總質(zhì)量。