一種PVT法生長(zhǎng)高質(zhì)量晶體的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010217926.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111321461B 公開（公告）日 2022-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN111321461B 申請(qǐng)公布日 2022-02-08
分類號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 趙麗麗;袁文博;張勝濤;范國(guó)峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李曉敏
地址 150000黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)哈西大街與學(xué)府四道街交匯處第40棟-1-2層12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種PVT法生長(zhǎng)高質(zhì)量晶體的裝置，屬于氮化鋁或碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。提高原料利用率，保證原料升華的蒸氣中組分比率及壓力，并解決了晶體固定及拆卸的困難，避免了晶體內(nèi)部應(yīng)力的產(chǎn)生，得到高質(zhì)量晶體。包括坩堝體、承托盤、軸、過(guò)濾板、坩堝蓋和籽晶托，堝體的上部可拆卸安裝有籽晶托，籽晶托的上部可拆卸安裝有坩堝蓋，過(guò)濾板位于坩堝體的內(nèi)部，承托盤滑動(dòng)安裝于坩堝體的內(nèi)部，軸穿過(guò)承托盤與過(guò)濾板連接；坩堝體包括生長(zhǎng)室和粉料室，生長(zhǎng)室位于粉料室的上側(cè)，生長(zhǎng)室內(nèi)安裝有過(guò)濾板，承托盤滑動(dòng)安裝于粉料室內(nèi)，粉料室的上部為圓臺(tái)形。