MEMS靜態(tài)存儲(chǔ)器及MEMS可編程器件
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010618215.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN102543173B | 公開(公告)日 | 2014-01-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102543173B | 申請(qǐng)公布日 | 2014-01-08 |
| 分類號(hào) | G11C13/00(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 張鐳;江偉輝;許程凱;唐德明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 張家港市高松專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張家港麗恒光微電子科技有限公司;江蘇麗恒微電子有限公司 |
| 地址 | 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種MEMS靜態(tài)存儲(chǔ)器及MEMS可編程器件,MEMS靜態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元包括三個(gè)MEMS開關(guān)器件,所述MEMS開關(guān)器件包括第一端、第二端、第三端和控制端,所述控制端用于控制所述第三端與第一端和第二端中的一個(gè)電性導(dǎo)通,其中,第一MEMS開關(guān)器件的第一端和第二端分別輸入邏輯低電平和邏輯高電平;第二MEMS開關(guān)器件的第一端為高阻,第二端連接所述第一MEMS開關(guān)器件的控制端,控制端連接寫字線,第三端連接寫位線;第三MEMS開關(guān)器件的第一端為高阻,第三端連接讀位線,控制端連接讀字線,第二端連接所述第一MEMS開關(guān)器件的第三端。本發(fā)明MEMS靜態(tài)存儲(chǔ)單元的輸出信號(hào)完全來(lái)自邏輯高、低電平,改善了信號(hào)完整性。 |





