多晶硅熔化參數(shù)的檢測方法、多晶硅、單晶硅及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910473292.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110133017B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN110133017B 申請公布日 2022-07-01
分類號 G01N23/20008（2018.01）I;G01N23/207（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 宮尾秀一 申請（專利權(quán)）人 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)西灃南路1888號1-3-029室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供了一種多晶硅熔化參數(shù)的檢測方法、多晶硅、單晶硅及其制造方法，多晶硅熔化參數(shù)的檢測方法包括：提供多個滿足預(yù)設(shè)要求的多晶硅試樣；對所述多個多晶硅試樣分別進行衍射分析，確定指定的米勒指數(shù)面衍射強度的變動量；根據(jù)指定的米勒指數(shù)面衍射強度的變動量，確定所述多晶硅試樣的熔化參數(shù)。這樣可以篩選出熔化性能好的硅塊，并將篩選得到的硅塊作為生產(chǎn)單晶硅的原料，可以防止在CZ單晶硅制作過程時出現(xiàn)結(jié)晶線紊亂現(xiàn)象，可以提高單晶硅的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。