高可靠低讀電壓一次性編程存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610316964.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106024064A 公開（公告）日 2016-10-12
申請公布號 CN106024064A 申請公布日 2016-10-12
分類號 G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 廖旭陽;毛軍華;彭澤忠 申請（專利權(quán)）人 四川凱路威電子有限公司
代理機構(gòu) 成都惠迪專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 四川凱路威電子有限公司
地址 621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路128號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 高可靠低讀電壓一次性編程存儲器，涉及集成電路技術(shù)，本發(fā)明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔絲元件；第一MOS管的柵端接第二連接線WS，其第一連接端通過反熔絲元件連接第一連接線WP，第二連接端接第三連接線BL；第二MOS管的第一連接端接第四連接線BR，第二連接端接第三連接線BL；還包括一個限壓器件，其具有一個控制端和兩個連接端，其控制端連接一條控制信號線WB，其一個連接端連接反熔絲器件和第一MOS管的連接點，另一個連接端連接第二MOS管的柵端。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊所引起的關(guān)鍵路徑的器件損壞、退化而難題，避免了可能導(dǎo)致的漏電隱患(高壓對第二MOS管柵端的沖擊)，提高了器件的可靠性。