一種高絕緣電壓?jiǎn)涡酒娏鱾鞲衅鞣庋b結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011483964.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112595874A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112595874A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | G01R15/20(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 陳忠志;趙翔;彭卓;劉學(xué) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都芯進(jìn)電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李朝虎 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）天辰路88號(hào)3號(hào)樓2單元401室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種高絕緣電壓?jiǎn)涡酒娏鱾鞲衅鞣庋b結(jié)構(gòu)，包括U型框架、隔離芯片和用于探測(cè)磁信號(hào)的傳感器芯片；所述隔離芯片的頂面通過(guò)DAF薄膜粘貼連接用于探測(cè)磁信號(hào)的傳感器芯片；所述隔離芯片的底面通過(guò)DAF薄膜粘貼連接U型框架的最大橫截面；利用柵氧化層的高擊穿電壓特性來(lái)實(shí)現(xiàn)超薄隔離芯片，實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓的同時(shí)，壓縮霍爾傳感器芯片與導(dǎo)線之間的距離，降低霍爾傳感器的靈敏度需求，提升線性度，溫度特性和抗干擾特性；可以滿(mǎn)足6000V RMS隔離電壓的電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)。?? |
