一種改善薄膜沉積均勻度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711086329.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107881486B 公開（公告）日 2019-08-16
申請公布號 CN107881486B 申請公布日 2019-08-16
分類號 C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 睿力集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種改善薄膜沉積均勻度的方法，該方法包括如下步驟：采用晶舟承載多片晶圓；所述晶舟具有頭部和尾部，多片晶圓排列放置于晶舟的頭部和尾部之間；在多片晶圓與晶舟頭部，和/或在多片晶圓與晶舟尾部之間放置檔控片；將承載有晶圓和檔控片的晶舟置于反應爐管中并進行薄膜沉積；其中，所述檔控片具有非平坦的表面結構。本發(fā)明導入具有非平坦表面結構的擋控片取代現(xiàn)有技術中的平坦的擋控片，藉由增加擋控片吸附面積增加吸附氣體能力，可有效地降低臨近擋控片產品邊緣厚度，從而可有效改善芯片膜厚均勻度，平滑晶舟位置邊緣良率損失的曲線以提升產品良率。