基于高K介質膜層結構的電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810355293.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108649025B 公開（公告）日 2019-10-18
申請公布號 CN108649025B 申請公布日 2019-10-18
分類號 H01L23/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 睿力集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于高K介質膜層結構的電容器，基于高K介質膜層結構的電容器包括具有接觸孔的絕緣層，接觸孔覆蓋于下電極的表面并顯露下電極；基于高K介質膜層結構的電容器具有至少一個剖面為U型的下極板，下極板的底部填充接觸孔且與下電極連接；基于高K介質膜層結構的電容器的高K介質膜層結構及上極板與下電極通過絕緣層間隔。本發(fā)明的基于高K介質膜層結構的電容器不僅可以利用多組高K介質循環(huán)結構獲得更大的電荷儲存容量，還可以有效降低漏電流；具有更高的電容及更小的漏電流，有利于動態(tài)隨機存取存儲器刷新頻率的降低，并提高動態(tài)隨機存取存儲器的數(shù)據(jù)保存能力。