導體結構、電容器陣列結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711373297.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108155152B 公開（公告）日 2019-09-06
申請公布號 CN108155152B 申請公布日 2019-09-06
分類號 H01L21/8242（2006.01）I; H01L27/108（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 睿力集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于多晶硅制程的導體結構、電容器陣列結構及制備方法，導體結構制備包括：提供一基底，于基底中形成凹穴結構；于凹穴結構內(nèi)形成導體填充結構，形成導體填充結構的材料源至少包含硅源及鍺源，鍺源中的鍺原子作為硅源中硅原子聚集生長的晶核，以增大導體填充結構中的硅結晶粒度。通過上述方案，本發(fā)明提出了制造大晶粒多晶硅的方式，引入了作為硅晶粒聚集生長的晶核元素，如鍺，使硅原子聚集進而加大結晶粒度，增加多晶硅結晶粒度可以減少晶界陷阱對載子的影響進而增加導電率，本發(fā)明還通過保護層的設置，防止導體填充結構中的鍺對制程的影響，達到了導體填充結構與其他結構層之間的有效連接，進一步改善了導體填充結構的電學性能。