一種半導體器件結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810171911.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108470686B 公開（公告）日 2019-10-18
申請公布號 CN108470686B 申請公布日 2019-10-18
分類號 H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 睿力集成電路有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 230601 安徽省合肥市經濟技術開發(fā)區(qū)翠微路6號海恒大廈630室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導體器件結構及其制備方法，方法包括：提供一襯底；于襯底上形成柵極結構；于襯底上形成貼附于柵極結構外側壁的間隔結構，并于襯底上形成貼附于間隔結構外側壁的接觸導電層，其中，間隔結構至少包括第一間隔層及第二間隔層，第一間隔層形成于柵極結構的外側壁上，第二間隔層形成于第一間隔層的外表面上，第二間隔層的介電常數(shù)低于第一間隔層的介電常數(shù)，第二間隔層的寬度大于等于第一間隔層的厚度2倍。通過上述方案，本發(fā)明的半導體器件結構可以通過間隔結構的優(yōu)化，降低器件結構中所衍生的寄生電容，從而改善接觸導電層電阻惡化的問題，改善器件性能；本發(fā)明的半導體器件結構的制備工藝簡單，兼容性強，適于大規(guī)模工業(yè)生產。