一種磁控拉單晶超導(dǎo)磁體的屏蔽結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122291103.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215680369U 公開（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN215680369U 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) H01F27/36（2006.01）I;H01F6/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;李超;馬鵬;張弛;李勇;葛正福;蘭賢輝;馮勇;劉向宏;張平祥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安聚能超導(dǎo)磁體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安鼎邁知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉喜保
地址 710018陜西省西安市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)明光路12號(hào)西部超導(dǎo)園區(qū)磁體廠房1幢1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種磁控拉單晶超導(dǎo)磁體的屏蔽結(jié)構(gòu)，包括磁屏蔽鐵軛上板、磁屏蔽鐵軛下板和磁屏蔽鐵軛筒體。磁屏蔽鐵軛上板和磁屏蔽鐵軛下板分別連接在磁屏蔽鐵軛筒體的兩端，磁屏蔽鐵軛筒體為多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型將傳統(tǒng)的無(wú)電工純鐵的磁控拉單晶硅磁體，或者單層的磁屏蔽結(jié)構(gòu)，進(jìn)行多層優(yōu)化，在節(jié)約電工純鐵的基礎(chǔ)上，以進(jìn)一步降低磁體的漏磁，從而滿足磁控拉單晶用超導(dǎo)磁體周圍電氣設(shè)備的安全、穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)多層磁屏蔽結(jié)構(gòu)也可以降低因單層較厚電工純鐵磁屏蔽結(jié)構(gòu)，造成磁屏蔽與超導(dǎo)線圈之間的電磁作用力過大，誘發(fā)的磁體運(yùn)行穩(wěn)定性問題的風(fēng)險(xiǎn)，提高磁控拉單晶用超導(dǎo)磁體的穩(wěn)定性，保證生產(chǎn)效率及穩(wěn)定性。