一種凹陷式類單晶籽晶鑄錠熔化結(jié)晶工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710019679.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106591937B 公開（公告）日 2019-11-26
申請公布號 CN106591937B 申請公布日 2019-11-26
分類號 C30B11/04（2006.01）; C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王強; 尤敏; 陳云; 鄧潔; 朱海峰; 章國安 申請（專利權(quán)）人 南通大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移中心有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 南通大學(xué)
地址 226019 江蘇省南通市嗇園路9號南通大學(xué)6號樓205
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種凹陷式塊狀類單晶籽晶鑄錠熔化結(jié)晶工藝，包括如下步驟：(1)單晶硅籽晶的制備及裝料階段；(2)單晶硅籽晶鑄錠熔化階段；(3)類單晶長晶階段。本發(fā)明的特點在于當(dāng)硅料熔液從頂部向底部流動經(jīng)過阻擋層時，會沿著晶磚的凹陷角度向坩堝中心流動。這樣就可以避免因為鑄錠爐的加熱器位于坩堝頂部和四壁，坩堝壁處的溫度較高，導(dǎo)致坩堝壁處的硅溶液沿著坩堝壁向下流動，接觸籽晶層造成邊側(cè)籽晶層熔穿的現(xiàn)象。同時，緩沖層向中心流動的硅熔液可以提高坩堝中心的溫度，避免了在中心處的籽晶層未熔化的現(xiàn)象，采用了降溫速率控制工藝，實現(xiàn)了鑄錠工藝的優(yōu)化。