一種PECVD設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123071472.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216919399U 公開(kāi)（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN216919399U 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) C23C16/455（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李時(shí)俊;楊寶立;張數(shù)俊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 518118廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值乐窨由鐓^(qū)金牛東路62號(hào)一層至六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種PECVD設(shè)備。該P(yáng)ECVD設(shè)備，包括反應(yīng)爐，反應(yīng)爐的一端設(shè)有排氣端蓋；排氣端蓋上設(shè)有若干個(gè)淋氣管，淋氣管為陣列式分布；淋氣管上設(shè)有若干個(gè)噴氣孔；噴氣孔的相鄰間距相等；噴氣孔的孔徑依次增大。通過(guò)該P(yáng)ECVD設(shè)備中通過(guò)在排氣端蓋側(cè)設(shè)置淋氣管控制反應(yīng)爐中氣體的均勻程度，從而使制得的Si3N4薄膜厚度更均勻。