半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910973559.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110707115B 公開（公告）日 2022-06-17
申請公布號 CN110707115B 申請公布日 2022-06-17
分類號 H01L27/146（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余興;蔣維楠 申請（專利權(quán)）人 浙江清華長三角研究院
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)隆興路118號內(nèi)主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一基底，所述第一基底具有非感應(yīng)面，所述第一基底包括圖像傳感區(qū)和微機電系統(tǒng)區(qū)，所述圖像傳感區(qū)內(nèi)具有圖像傳感器，所述微機電系統(tǒng)區(qū)內(nèi)具有微機電系統(tǒng)器件；與所述第一基底鍵合的第二基底，所述非感應(yīng)面朝向所述第二基底，所述第二基底包括存儲區(qū)，所述存儲區(qū)在所述第一基底表面具有第一投影，所述圖像傳感區(qū)在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范圍內(nèi)，且所述微機電系統(tǒng)區(qū)在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范圍內(nèi)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠增加單個芯片功能、減少芯片的占用面積、提高芯片的集成度并且降低芯片的成本。