一種新型發(fā)光二極管量子阱及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811022466.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109300853B 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號(hào) CN109300853B 申請公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L21/86（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫旭東;祝光輝;任亮亮;曾海軍 申請（專利權(quán)）人 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 李鋒
地址 223001江蘇省淮安市景秀路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種新型發(fā)光二極管量子阱及制備方法，包括藍(lán)寶石襯底以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、多量子阱結(jié)構(gòu)以及p型氮化鎵層；所述多量子阱結(jié)構(gòu)包括5～15個(gè)周期量子阱結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)單元包括純氮?dú)猸h(huán)境生長的銦鎵氮量子阱區(qū)、純氮?dú)猸h(huán)境生長的AlxGa1?xN Cap區(qū)以及純氫氣環(huán)境生長的AlmGa1?mN量子壘區(qū)。本發(fā)明純氮?dú)猸h(huán)境生長的銦鎵氮量子阱區(qū)與AlxGa1?xN Cap區(qū)，得到銦組分摻雜良好的銦鎵氮量子阱區(qū)。純氫氣環(huán)境下生長的AlmGa1?mN量子壘區(qū)，生長缺陷少，晶體質(zhì)量得到改善。