半導(dǎo)體發(fā)光元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122861722.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN216120333U 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號(hào) CN216120333U 申請公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L33/38（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王東山;王思博;廖漢忠 申請（專利權(quán)）人 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 廖娜;李鋒
地址 223005江蘇省淮安市清河新區(qū)景秀路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、具有PN臺(tái)階的外延層、第一電極層、第一絕緣層和第二電極層；第一電極層包括至少一個(gè)第一P型電極和至少一個(gè)第一N型電極；第二電極層包括至少一個(gè)第二P型電極和至少一個(gè)第二N型電極；第一與第二P型電極電性連接，第一與第二N型電極電性連接；第二P型電極的臨近N型半導(dǎo)體層外緣的外側(cè)面上設(shè)置有至少一個(gè)用于減小所述第二電極層面積的內(nèi)凹部。本申請?jiān)诒ＷC第一和第二P型電極正常的電性連接的情況下，通過在第二P型電極臨近N型半導(dǎo)體層外緣的外側(cè)面上設(shè)置內(nèi)凹部，實(shí)現(xiàn)減小第二電極層的面積，提高芯片的反射率，從而提高芯片整體亮度。