一種MOS開(kāi)關(guān)的負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810187418.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108336988B 公開(kāi)（公告）日 2022-01-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN108336988B 申請(qǐng)公布日 2022-01-25
分類號(hào) H03K17/687（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 馬彪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科德諾微電子（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州京諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 肖金艷
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道10號(hào)深圳灣科技生態(tài)園10棟B2903
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種MOS開(kāi)關(guān)的負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路,該MOS開(kāi)關(guān)的負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路采用自舉的方式產(chǎn)生了負(fù)電壓，并將該負(fù)電壓作為MOS開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)輸出，使得在不降低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電流的情況下，提高了MOS開(kāi)關(guān)的開(kāi)路電阻，降低了MOS開(kāi)關(guān)的開(kāi)路漏電，有效解決超低功耗電路中開(kāi)關(guān)開(kāi)路的漏電問(wèn)題。