一種單晶硅生長(zhǎng)控制工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110419971.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113136619A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113136619A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) C30B15/20;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 范桂林;李朝紅;李茂欣;沈偉華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海磐盟電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 溫開(kāi)瑞
地址 201600 上海市松江區(qū)長(zhǎng)塔路399號(hào)2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種單晶硅生長(zhǎng)控制工藝，其包括S1：?jiǎn)尉t的爐筒外側(cè)架設(shè)磁場(chǎng)裝置，向爐筒內(nèi)部施加磁場(chǎng)；S2：裝料；S21：在爐筒內(nèi)設(shè)有同軸對(duì)準(zhǔn)裝置，在爐筒安裝石墨坩堝，通過(guò)同軸對(duì)準(zhǔn)裝置在石墨坩堝內(nèi)安裝石英坩堝；S22：多晶放入石英坩堝內(nèi)，棱角靠近石英坩堝；S3：通過(guò)同軸對(duì)準(zhǔn)裝置安裝并調(diào)整籽晶，籽晶與石英坩堝同軸線；S4：抽空和撿漏，抽出爐筒內(nèi)部的氣體，完成抽氣后，檢測(cè)爐筒漏氣速率；S5：熔料；S6：引晶、放肩和收尾；S7：停爐；S8：取單晶。本申請(qǐng)具有快速準(zhǔn)確地調(diào)整石墨坩堝、石英坩堝和籽晶的同軸度，提高單晶硅的生產(chǎn)效率和質(zhì)量的效果。