一種單晶爐輔助磁場控制系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110419979.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113122926A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122926A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C30B30/04（2006.01）I;C30B15/26（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 范桂林;李茂欣;沈偉華 申請（專利權(quán)）人 上海磐盟電子材料有限公司
代理機構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 溫開瑞
地址 201600上海市松江區(qū)長塔路399號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種單晶爐輔助磁場控制系統(tǒng)，屬于單晶制造的領(lǐng)域，其包括爐筒，所述爐筒的兩側(cè)設(shè)有磁頭，且兩個磁頭相對設(shè)置，所述磁頭下方設(shè)有驅(qū)動機構(gòu)，所述驅(qū)動機構(gòu)包括用于驅(qū)動兩個磁頭相向運動的第一驅(qū)動組件，以及用于驅(qū)動磁頭上下移動的第二驅(qū)動組件。本申請具有提高磁場的效果，從而提高所生產(chǎn)的單晶的品質(zhì)的效果。