一種DNA堿基序列檢測的雙層SiN納米孔結構的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610256247.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105776127B 公開（公告）日 2017-05-03
申請公布號 CN105776127B 申請公布日 2017-05-03
分類號 B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 凌新生;袁志山 申請（專利權）人 蘇州羅島納米科技有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 東南大學;南京羅島納米科技有限公司
地址 210096 江蘇省南京市四牌樓2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種DNA堿基序列檢測的雙層SiN納米孔結構及其制作方法。包括：首先提供一硅基體作為基板；在基體兩側表面通過LP?CVD工藝沉積由3層納米薄膜組成的結構層，從基體向上分別為SiN/SiO2/SiN；接著使用LP?CVD工藝在所述結構層表面沉積犧牲層；刻蝕基體一側所述結構層和所述犧牲層形成基體釋放窗口；接著使用堿性溶液刻蝕所述硅基體得到由所述結構層和所述犧牲層組成的自支撐納米薄膜?？涛g掉所述自支撐納米薄膜上方的犧牲層，得到懸空所述結構層。接著，使用氦離子束在懸空所述結構層上刻蝕出納米通孔。最后使用緩沖過的氫氟酸刻蝕所述結構層中的SiO2得到由SiO2空腔分割開的雙層SiN納米孔結構。本發(fā)明工藝簡單，與CMOS工藝的兼容使其有較好的擴展性，同時可以重復循環(huán)使用，在生化檢測領域有著較廣的使用前景。