一種單層膜雙納米孔DNA檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110466792.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113176317A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113176317A 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類號(hào) G01N27/327 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 胡嵐;曹銘;凌新生 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州羅島納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王雨
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)中科院納米所D棟918室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種單層膜雙納米孔DNA檢測(cè)設(shè)備，包括DNA修飾腔、DNA檢測(cè)腔、電場(chǎng)電極及信號(hào)處理終端；所述DNA修飾腔，用于在待測(cè)DNA所述待測(cè)DNA的尾端連接磁性小球；所述電場(chǎng)電極，用于在所述DNA檢測(cè)腔內(nèi)生成外加電場(chǎng)，使加裝所述探針及所述磁性小球的待測(cè)DNA的首端從所述單層膜雙納米芯片的正面先穿過(guò)所述納米孔A到達(dá)所述單層膜雙納米芯片的背面，再?gòu)乃霰趁娲┻^(guò)納米孔B，且在完成單次所述DNA過(guò)孔檢測(cè)后，關(guān)閉所述電場(chǎng)電極，使所述待測(cè)DNA回縮。本發(fā)明同時(shí)獲得兩次DNA檢測(cè)結(jié)果，提升檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，且節(jié)省了檢測(cè)時(shí)間，提高了檢測(cè)效率。本發(fā)明還提供了具有由上述優(yōu)點(diǎn)的單層膜雙納米孔DNA檢測(cè)方法。