選通器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110680038.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113421965A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421965A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L51/10（2006.01）I;H01L51/30（2006.01）I;H01L51/05（2006.01）I;H01L51/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晨;張衛(wèi);黃陽;唐靈芝 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種選通器，包括底電極、阻變層和頂電極。所述選通器的阻變層固定于底電極上，頂電極固定于阻變層上，底電極的組成材料為ITO導電玻璃，阻變層為鈣鈦礦薄膜，頂電極的組成材料為銀，選通器結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)效率高，選通器開啟速度快，具有較高開關(guān)比，通過簡單的電場掃描刺激，可以促使銀元素進入阻變層，進而提高選通器的閾值開關(guān)速度，具有穩(wěn)定的雙向閾值開關(guān)性能。本發(fā)明還提供了所述選通器的制備方法，包括清洗ITO導電玻璃；配制有機無機雜化鈣鈦礦溶液；通過旋涂工藝將有機無機雜化鈣鈦礦溶液旋涂于ITO導電玻璃上，形成鈣鈦礦薄膜；通過真空蒸發(fā)工藝在所述鈣鈦礦薄膜上沉積銀電極。所述選通器的制備方法簡單，成本低。