1S1R型存儲(chǔ)器集成結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110677823.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113421964A 公開(kāi)(公告)日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113421964A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類(lèi)號(hào) H01L45/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晨;張衛(wèi);黃陽(yáng);唐靈芝 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 黃海霞
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了1S1R型存儲(chǔ)器集成結(jié)構(gòu)的制備方法,包括制備選通器和阻變存儲(chǔ)器,以及將所述選通器和所述阻變存儲(chǔ)器串聯(lián)。所述制備方法使用元素組成相同濃度不同的兩份旋涂液和所述反溶劑分別配合使用并通過(guò)低溫旋涂工藝沉積于兩個(gè)柔性導(dǎo)電襯底,實(shí)現(xiàn)了所述兩個(gè)柔性導(dǎo)電襯底的導(dǎo)電面覆蓋的阻變層具有同種元素組成且厚度不同,然后通過(guò)所述步驟S3在不同厚度的阻變層表面分別沉積不同金屬材料形成不同頂電極就能夠得到選通器和阻變存儲(chǔ)器,工藝簡(jiǎn)單且通過(guò)所述步驟S4在所述選通器的頂電極施加正向電壓刺激后,將所述選通器和所述阻變存儲(chǔ)器串聯(lián)得到所述1S1R型存儲(chǔ)器集成結(jié)構(gòu)從而實(shí)現(xiàn)了1S1R結(jié)構(gòu)的柔性集成。本發(fā)明還提供了一種1S1R型存儲(chǔ)器集成結(jié)構(gòu)。