源漏接觸金屬的工藝方法、器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110648672.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113394269A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號(hào) CN113394269A 申請公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/161（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳鯤;徐敏;張衛(wèi);楊靜雯;王晨;徐賽生;吳春蕾;尹睿 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海慧晗知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐海晟;陳成
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)碧波路690號(hào)401-23室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種源漏接觸金屬的工藝方法、器件及其制備方法，源漏接觸金屬的工藝方法，包括：在基底上制作目標(biāo)鰭片；在所述目標(biāo)鰭片外外延鍺硅材料，形成包圍所述目標(biāo)鰭片的目標(biāo)鍺硅外延層；所述目標(biāo)鍺硅外延層包括位于所述目標(biāo)鰭片兩側(cè)的第一連接角與第二連接角；刻蝕掉所述目標(biāo)鍺硅外延層中的第一鍺硅部分與第二鍺硅部分，形成源漏的鍺硅體層；所述第一鍺硅部分包括所述第一連接角，所述第二鍺硅部分包括所述第二連接角；在所述鍺硅體層外沉積一層硅化物層；形成所述硅化物層與金屬的接觸連接。