動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110720222.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113506775A 公開(kāi)(公告)日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113506775A 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類(lèi)號(hào) H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱寶;陳琳;孫清清;尹睿;張衛(wèi) 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 黃海霞
地址 201203上海市浦東新區(qū)碧波路690號(hào)401-23室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,包括襯底、晶體管、介質(zhì)疊層、電容器和導(dǎo)電柱,所述晶體管設(shè)置于所述襯底的上表面,所述介質(zhì)疊層設(shè)置于所述襯底的上表面,且部分所述介質(zhì)疊層包覆所述晶體管,所述導(dǎo)電柱設(shè)有若干個(gè),且所述導(dǎo)電柱分別與所述晶體管和所述電容器電接觸,所述電容器設(shè)置于所述介質(zhì)疊層,且所述電容器的底部與所述襯底的上表面的最小軸向距離大于0,使得降低了半導(dǎo)體襯底對(duì)電容器的電學(xué)干擾,從而可以增大電容器的品質(zhì)因子,減少漏電流,避免了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器占據(jù)較大空間,保證了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有較大的存儲(chǔ)密度。本發(fā)明提供了所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法。