非易失性存儲(chǔ)器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110591322.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113380881A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113380881A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-10 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 丁士進(jìn);霍景永;熊文;吳小晗;張衛(wèi) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃海霞 |
| 地址 | 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種非易失性存儲(chǔ)器，包括源電極、漏電極、以及從下而上依次堆疊設(shè)置的柵極、電荷阻擋層、電荷俘獲層、電荷隧穿層和有源溝道層，所述源電極和所述漏電極分別設(shè)置于所述有源溝道層的兩側(cè)且包覆部分所述有源溝道層；所述電荷俘獲層包括若干N型氧化物半導(dǎo)體薄膜和若干P型氧化物半導(dǎo)體薄膜，所述N型氧化物半導(dǎo)體薄膜和所述P型氧化物半導(dǎo)體薄膜交替堆疊設(shè)置，使得不僅能同時(shí)實(shí)現(xiàn)電編程與擦除操作，以及具有良好的數(shù)據(jù)保持特性，而且有利于降低所述非易失性存儲(chǔ)器的操作電壓，提高電編程與擦除效率。本發(fā)明還提供了所述非易失性存儲(chǔ)器的制備方法。 |
