聚合物半導(dǎo)體薄膜及其制備方法、氣體傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110720204.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113429605A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113429605A 申請公布日 2021-09-24
分類號 C08J5/18（2006.01）I;C08G61/12（2006.01）I;C08L65/00（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;G01N27/00（2006.01）I 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 丁士進(jìn);譚昊天;吳小晗;張衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種聚合物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，包括步驟：S0：將襯底放入原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔體中；S1：向所述反應(yīng)腔體中通入第一混合反應(yīng)氣體，所述第一混合反應(yīng)氣體包括第一前驅(qū)體；S2：向所述反應(yīng)腔體中通入第二混合反應(yīng)氣體，所述第二混合反應(yīng)氣體包括第二前驅(qū)體，使所述第一前驅(qū)體與所述第二前驅(qū)體反應(yīng)生成聚合物；S3：循環(huán)交替進(jìn)行所述步驟S1和所述步驟S2，直至生成的聚合物半導(dǎo)體薄膜達(dá)到目標(biāo)薄膜厚度，使得制備的聚合物半導(dǎo)體薄膜厚度精確可控，可以精確到納米級別，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合物半導(dǎo)體薄膜仍然具有連續(xù)、均勻的薄膜形貌。本發(fā)明還提供一種聚合物半導(dǎo)體薄膜和氣體傳感器。