半導(dǎo)體發(fā)光芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110063071.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102683527A 公開（公告）日 2012-09-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN102683527A 申請(qǐng)公布日 2012-09-19
分類號(hào) H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾堅(jiān)信 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 滁州長(zhǎng)光高端智能裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518109 廣東省深圳市寶安區(qū)龍華鎮(zhèn)油松第十工業(yè)區(qū)東環(huán)二路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光芯片，其包括基板及設(shè)置在該基板上的發(fā)光結(jié)構(gòu)層，該發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括依次生長(zhǎng)的第一型束縛層、發(fā)光層及第二型束縛層，該基板與該發(fā)光結(jié)構(gòu)層之間還設(shè)置有緩沖層及覆蓋層，該緩沖層包含有沿該基板延伸方向形成的碳納米管結(jié)構(gòu)，該碳納米管結(jié)構(gòu)中包含有同軸氮化物半導(dǎo)體，該覆蓋層設(shè)置在該基板上且覆蓋該緩沖層。本發(fā)明還提供一種制造該半導(dǎo)體發(fā)光芯片的方法。