無電阻的帶隙基準源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310296585.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103399612B 公開（公告）日 2015-04-15
申請公布號 CN103399612B 申請公布日 2015-04-15
分類號 G05F1/567(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 賀紅荔;劉楠;莊在龍 申請（專利權(quán)）人 天津芯創(chuàng)意電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海翼勝專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)華達路36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種無電阻的帶隙基準源包括正、負溫度系數(shù)產(chǎn)生電路；負溫度系數(shù)產(chǎn)生電路包括第一NMOS晶體管以及連接成二極管形式的第一、二雙極晶體管，第一、二雙極晶體管基極與集電極接地、第一雙極晶體管發(fā)射極耦合至一運算放大器負輸入端，第二雙極晶體管發(fā)射極連接至第一NMOS晶體管源極，第一NMOS晶體管漏極耦合至運算放大器正輸入端，一電流鏡耦合至第一NMOS晶體管柵極；正溫度系數(shù)產(chǎn)生電路包括第三、四NMOS晶體管，第三、四NMOS晶體管源極分別連接至第一雙極晶體管發(fā)射極和第一NMOS晶體管漏極，并分別耦合至運算放大器的負、正輸入端，電流鏡耦合至第三、四NMOS晶體管柵極，一NMOS自偏置管耦合至第三、四NMOS晶體管漏極；運算放大器輸出端耦合至電流鏡。