無(wú)電阻的帶隙基準(zhǔn)源

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310296585.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103399612A 公開(kāi)（公告）日 2013-11-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN103399612A 申請(qǐng)公布日 2013-11-20
分類號(hào) G05F1/567(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 賀紅荔;劉楠;莊在龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津芯創(chuàng)意電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇芯創(chuàng)意電子科技有限公司;天津芯創(chuàng)意電子科技有限公司
地址 215634 江蘇省蘇州市張家港保稅區(qū)華達(dá)路36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種無(wú)電阻的帶隙基準(zhǔn)源包括正、負(fù)溫度系數(shù)產(chǎn)生電路；負(fù)溫度系數(shù)產(chǎn)生電路包括第一NMOS晶體管以及連接成二極管形式的第一、二雙極晶體管，第一、二雙極晶體管基極與集電極接地、第一雙極晶體管發(fā)射極耦合至一運(yùn)算放大器負(fù)輸入端，第二雙極晶體管發(fā)射極連接至第一NMOS晶體管源極，第一NMOS晶體管漏極耦合至運(yùn)算放大器正輸入端，一電流鏡耦合至第一NMOS晶體管柵極；正溫度系數(shù)產(chǎn)生電路包括第三、四NMOS晶體管，第三、四NMOS晶體管源極分別連接至第一雙極晶體管發(fā)射極和第一NMOS晶體管漏極，并分別耦合至運(yùn)算放大器的負(fù)、正輸入端，電流鏡耦合至第三、四NMOS晶體管柵極，一NMOS自偏置管耦合至第三、四NMOS晶體管漏極；運(yùn)算放大器輸出端耦合至電流鏡。