具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202210113278.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114446965A | 公開（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申請公布號 | CN114446965A | 申請公布日 | 2022-05-06 |
| 分類號 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 金鎮(zhèn)湖 | 申請（專利權）人 | 東芯半導體股份有限公司 |
| 代理機構 | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 熊風 |
| 地址 | 201799上海市青浦區(qū)徐涇鎮(zhèn)諸光路1588弄虹橋世界中心L4A-F5 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供具有垂直溝道晶體管的存儲器及其制造方法。通過將多條位線圍繞半導體柱的下部的外壁形成，將多條字線在多條位線的上方隔著中間絕緣層而圍繞半導體柱的外壁形成，使得垂直溝槽晶體管的主體能夠直接接觸半導體襯底，從而避免垂直溝槽晶體管的主體浮動，且可以縮小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，僅通過沉積和蝕刻工藝來形成柵堆疊結構，無需光刻工藝，不借助光掩模而形成字線，結構和工藝較為簡單，從而沿用現(xiàn)有設備和材料即可將存儲器擴展到10nm以下。 |
