減少數(shù)據(jù)線中電流消耗的多存儲體型半導體存儲器裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010818351.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114078527A | 公開(公告)日 | 2022-02-22 |
| 申請公布號 | CN114078527A | 申請公布日 | 2022-02-22 |
| 分類號 | G11C16/10(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 李準根 | 申請(專利權)人 | 東芯半導體股份有限公司 |
| 代理機構 | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人 | 趙彤;劉久亮 |
| 地址 | 201700上海市青浦區(qū)趙巷鎮(zhèn)滬青平公路2855弄1-72號B座12層A區(qū)1228室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 減少數(shù)據(jù)線中電流消耗的多存儲體型半導體存儲器裝置。本文公開的是一種多存儲體型半導體存儲器裝置,其減少了數(shù)據(jù)線的電流消耗。在根據(jù)本發(fā)明的多存儲體型半導體存儲器裝置中,每個存儲體與輸入/輸出緩沖器之間的數(shù)據(jù)線被分成水平數(shù)據(jù)線和垂直數(shù)據(jù)線。另外,提供高阻抗驅動器以驅動水平數(shù)據(jù)線的水平局部數(shù)據(jù),以提供水平局部數(shù)據(jù)作為垂直數(shù)據(jù)線的垂直局部數(shù)據(jù)。因此,在根據(jù)本發(fā)明的多存儲體型半導體存儲器裝置中,即使以低電源電壓控制水平局部數(shù)據(jù)和垂直局部數(shù)據(jù),也幾乎不會發(fā)生整體工作速度的降低。另外,在根據(jù)本發(fā)明的多存儲體型半導體存儲器裝置中,數(shù)據(jù)線中的電流消耗顯著減少。 |





