用于外延生長氮化鎵晶體的復(fù)合襯底及氮化鎵外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023061674.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213459739U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459739U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國斌;王建峰;徐科 申請（專利權(quán)）人 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城中北區(qū)23幢214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于外延生長氮化鎵晶體的復(fù)合襯底及氮化鎵外延結(jié)構(gòu)。所述用于外延生長氮化鎵晶體的復(fù)合襯底包括襯底和形成在襯底表面的氮化鋁緩沖層，所述氮化鋁緩沖層的表面分布有多個孔洞。本實用新型實施例提供的一種用于外延生長氮化鎵晶體的復(fù)合襯底，結(jié)構(gòu)簡單且可以實現(xiàn)原位生長。本實用新型實施例提供的一種用于外延生長氮化鎵晶體的復(fù)合襯底能夠?qū)崿F(xiàn)在低螺型位錯下減少刃型位錯，同時可以進(jìn)一步降低氮化鎵外延結(jié)構(gòu)的位錯密度。