發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010143181.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111554782B 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111554782B 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國斌;王建峰;徐科 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城中北區(qū)23幢214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管，包括自支撐襯底層，以及所述自支撐襯底表面的n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、以及p型半導(dǎo)體層，所述發(fā)光層包括電子擴(kuò)展層、超晶格有源區(qū)、和空穴增強(qiáng)層。上述結(jié)構(gòu)能夠提高在小電流密度下的出光效率。