Micro-LED芯片結(jié)構(gòu)及Micro-LED發(fā)光組件
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202023213133.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN213519957U | 公開(公告)日 | 2021-06-22 |
| 申請公布號 | CN213519957U | 申請公布日 | 2021-06-22 |
| 分類號 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 畢文剛;王國斌;徐科 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城中北區(qū)23幢214室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種Micro?LED芯片結(jié)構(gòu)及Micro?LED發(fā)光組件。所述Micro?LED芯片結(jié)構(gòu)包括外延結(jié)構(gòu),所述外延結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置在透光襯底上的第二半導(dǎo)體層、有源區(qū)和第一半導(dǎo)體層,該第一、第二半導(dǎo)體層分別與第一、第二電極配合,該第二電極分布于透光襯底周圍并與透光襯底的側(cè)壁接觸,且該透光襯底遠(yuǎn)離外延結(jié)構(gòu)的一側(cè)表面為出光面。本實用新型的Micro?LED芯片結(jié)構(gòu)通過采用側(cè)壁電極結(jié)構(gòu),可以避免因電極設(shè)置在出光面上而對LED芯片所發(fā)光的吸收,增加器件發(fā)光效率,同時還可以起到光反射的作用,從而進(jìn)一步提高器件的光提取效率和亮度,并且還可以減少各芯片之間的光串?dāng)_,避免色坐標(biāo)偏移,提高顯示色純度,以及,還可以使芯片尺寸得以進(jìn)一步縮小,提高顯示分辨率。 |





