高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)及高電子遷移率晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023053468.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213459745U 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN213459745U 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國斌;王建峰;徐科 申請（專利權(quán)）人 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城中北區(qū)23幢214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)及高電子遷移率晶體管。所述高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)包括在N面極性的半絕緣GaN襯底上依次形成的界面處理層、勢壘層、隔離層、溝道層和接觸層，其中，至少所述界面處理層與所述勢壘層接觸的表面還具有多個納米級圖形結(jié)構(gòu)，且所述納米級圖形結(jié)構(gòu)與所述界面處理層為同質(zhì)結(jié)構(gòu)。本實用新型提供的高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)具有更高的頻率特性；以及，GaN襯底以及半絕緣特性能夠通過前期制備完成，可以避免后期生長高阻外延層帶來的不利影響；并且同質(zhì)外延不存在異質(zhì)襯底上高密度位錯緩沖層的問題，在外延前進行適當(dāng)?shù)慕缑嫣幚?，可完全阻斷漏電通道的產(chǎn)生。