Micro-LED垂直芯片結(jié)構(gòu)及光學(xué)組件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023213119.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213583790U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213583790U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-29 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/15（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 畢文剛;王國(guó)斌;徐科 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王鋒 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城中北區(qū)23幢214室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種Micro?LED（微型發(fā)光二極管）垂直芯片結(jié)構(gòu)及光學(xué)組件。所述Micro?LED垂直芯片結(jié)構(gòu)包括外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)包括沿設(shè)定方向依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、有源區(qū)和第二半導(dǎo)體層；該第一、二半導(dǎo)體層分別與第一、二電極配合，該第一電極分布于第一半導(dǎo)體層周?chē)遗c第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁形成電性接觸。本實(shí)用新型的micro?LED垂直芯片結(jié)構(gòu)通過(guò)采用側(cè)壁電極結(jié)構(gòu)，可以避免因電極設(shè)置在出光面上而對(duì)LED芯片所發(fā)光的吸收，增加器件發(fā)光效率，同時(shí)還可以起到光反射的作用，從而進(jìn)一步提高器件的光提取效率和亮度，并且還可以減少各芯片之間的光串?dāng)_，避免色坐標(biāo)偏移，提高顯示色純度，以及，還可以使芯片尺寸得以進(jìn)一步縮小，提高顯示分辨率。 |
