環(huán)形MOCVD反應(yīng)器結(jié)構(gòu)及III-V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023045467.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213925126U 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN213925126U 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) C30B25/12;C30B25/08;C30B25/10;C30B29/40;C30B25/14;C23C16/30;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/44;C23C16/455 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王國(guó)斌;王建峰;徐科 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城中北區(qū)23幢214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種環(huán)形MOCVD反應(yīng)器結(jié)構(gòu)及III?V族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)系統(tǒng)。所述環(huán)形MOCVD反應(yīng)器結(jié)構(gòu)包括具有多邊形徑向截面的反應(yīng)腔體和設(shè)置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)的多邊形中心棱柱，所述反應(yīng)腔體的內(nèi)壁與多邊形中心棱柱的外壁之間形成有可供反應(yīng)流體通過的多邊環(huán)形流道，所述反應(yīng)腔體的每一側(cè)內(nèi)壁上均分布有至少一個(gè)安裝槽，所述安裝槽內(nèi)還設(shè)置有多個(gè)支撐臺(tái)階，所述多個(gè)支撐臺(tái)階分別與多個(gè)不同尺寸的襯底相適配，所述支撐臺(tái)階作用于所述襯底的底部表面，至少在所述安裝槽的外側(cè)還設(shè)置有便于取出襯底的讓位槽。本實(shí)用新型提供的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)中反應(yīng)腔體和多邊形中心棱柱均為石墨構(gòu)件，具有均勻性更好、襯底利用率更高，且易于維護(hù)、部件更換成本更低等優(yōu)勢(shì)。