大斜切角異質(zhì)襯底-氮化鎵復(fù)合結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023214124.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN213635904U 公開(kāi)(公告)日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN213635904U 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類(lèi)號(hào) H01L21/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國(guó)斌;王建峰;畢文剛;徐科 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 趙世發(fā)
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城中北區(qū)23幢214室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大斜切角異質(zhì)襯底?氮化鎵復(fù)合結(jié)構(gòu)。所述大斜切角異質(zhì)襯底?氮化鎵復(fù)合結(jié)構(gòu)包括:大斜切角異質(zhì)襯底以及設(shè)置在所述大斜切角異質(zhì)襯底上的氮化鎵緩沖層、二維氮化鎵層、三維島狀氮化鎵層和氮化鎵材料層。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種大斜切角異質(zhì)襯底?氮化鎵復(fù)合結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且生長(zhǎng)工藝簡(jiǎn)單、生長(zhǎng)條件易于調(diào)節(jié),所述大斜切角異質(zhì)襯底?氮化鎵復(fù)合結(jié)構(gòu)的質(zhì)量更好、表面平整度更高。